DMG4800LSD-13
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DMG4800LSD-13參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8.54A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：16毫歐@9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.6V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8.56nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：798pF@10V
功率-最大值：1.17W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOP