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DMG4511SK4-13參數(shù)：MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：5,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：35V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：5.3A，5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 8mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.7nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：850pF @ 25V功率 - 最大值：1.54W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD供應商器件封裝：TO-252-4L
