DMG4435SSS-13
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DMG4435SSS-13參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：16毫歐@11A，20V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：35.4nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1614pF@15V
功率-最大值：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOP