CSD87312Q3E
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CSD87312Q3E參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 27A DL 8VSON

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：NexFET™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2?N 溝道（雙）共源
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：27A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 7A， 8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1250pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SON（3.3x3.3）