CSD86350Q5D
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CSD86350Q5D參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 40A 8SON

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
特色產(chǎn)品： CSD86350Q5DSynchronousBuckNexFET?PowerBlock
ReferenceDesignLibrary： CSD86350Q5DEVM-604:1.2V@25A,8~13Vin
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)N通道（半橋）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：40A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：6毫歐@20A，8V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10.7nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1870pF@12.5V
功率-最大值：13W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-LDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SON（5x6）