CSD25401Q3參數:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
類別:分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊: NexFETMOSFETTechnology視頻文件: NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview標準包裝:2,500系列:NexFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):60A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):11.7毫歐@10A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):12.3nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1400pF@10V功率-最大值:2.8W安裝類型:表面貼裝封裝:8-TDFN裸露焊盤供應商器件封裝:8-SON