CSD25303W1015參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview標準包裝：3,000系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：58毫歐@1.5A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4.3nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：435pF@10V功率-最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：6-UFBGA，DSBGA供應商器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）
