CSD25303W1015參數(shù):MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: NexFETMOSFETTechnology視頻文件: PowerStack?PackagingTechnologyOverview標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:NexFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):58毫歐@1.5A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):4.3nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):435pF@10V功率-最大值:1.5W安裝類型:表面貼裝封裝:6-UFBGA,DSBGA供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA(1x1.5)