CSD25211W1015參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：NexFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3.2A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 1.5A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：4.1nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：570pF @ 10V功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-UFBGA，DSBGA供應(yīng)商器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）
