CSD18504Q5A參數(shù):MOSFET N-CH 40V 8SON
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計(jì)資源: CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:NexFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):40V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):50A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):6.6毫歐@17A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1656pF@20V功率-最大值:3.1W安裝類型:表面貼裝封裝:8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝:8-SON(5x6)