CSD16411Q3參數(shù):MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: NexFETMOSFETTechnology視頻文件: NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview設(shè)計(jì)資源: CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:NexFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):56A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):10毫歐@10A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):3.8nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):570pF@12.5V功率-最大值:2.7W安裝類型:表面貼裝封裝:8-TDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-SON