BSZ0901NS參數(shù):MOSFET N-CH 30V S308
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):40A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 20A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):45nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2850pF @ 15V功率 - 最大值:50W安裝類型:表面貼裝封裝:8-TDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)