BST82,215
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BST82,215參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：190mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 歐姆 @ 150mA，5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：40pF @ 10V
功率 - 最大值：830mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：TO-236AB