BSS806N H6327參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：57 毫歐 @ 2.3A，2.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 11µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.7nC @ 2.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：529pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：PG-SOT23-3
