BSS209PW參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：580mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：550毫歐@580mA，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.2V@3.5µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：1.38nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：89.9pF@15V功率-最大值：520mW安裝類型：表面貼裝封裝：SC-70，SOT-323供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT323-3
