BSP122,115
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BSP122,115參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：550mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.5 歐姆 @ 750mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：100pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：SC-73