BSM180D12P2C101
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BSM180D12P2C101參數：SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE

類別：半導體模塊-FET
標準包裝：1
系列：*
包裝：散裝
FET 類型：2 個 N 通道（半橋）
FET 功能：碳化硅 (SiC)
漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：180A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：-
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23000pF @ 10V
功率 - 最大值：1130W
安裝類型：*
封裝：模塊
供應商器件封裝：模塊