BSC22DN20NS3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：225 毫歐 @ 3.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 13µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.6nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：430pF @ 100V功率 - 最大值：34W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8
