BSC079N03SG參數(shù):MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation11/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):40A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):7.9毫歐@40A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2V@30µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):17nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2230pF@15V功率-最大值:60W安裝類型:表面貼裝封裝:8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)