BSC060N10NS3 G參數(shù):MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):90A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 50A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 90µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):68nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4900pF @ 50V功率 - 最大值:125W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)