BSC025N03MS G參數:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
類別:分立半導體產品-FET - 單標準包裝:5,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 30A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):98nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):7600pF @ 15V功率 - 最大值:83W安裝類型:表面貼裝封裝:8-PowerTDFN供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)