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BS108G參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010標準包裝：1,000系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：250mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8歐姆@100mA，2.8V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：150pF@25V功率-最大值：350mW安裝類型：通孔封裝：TO-226-3、TO-92-3標準主體供應商器件封裝：TO-92-3
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