AUIRLR2905ZTRL參數(shù):MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標準包裝:3,000系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):55V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):42A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):13.5毫歐@36A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):35nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1570pF@25V功率-最大值:110W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:D-Pak