APT85GR120JD60參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：10系列：-IGBT 類型：NPT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.2V @ 15V，85A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：116A電流 - 集電極截止（最大值）：1.1mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：8.4nF @ 25V功率 - 最大值：543W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227
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