APT68GA60B2D40參數(shù):IGBT 600V 121A 520W TO-247
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準包裝:30系列:POWER MOS 8™包裝:管件IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,40A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):121ACurrent - Collector Pulsed (Icm):202A功率 - 最大值:520WSwitching Energy:715µJ (開), 607µJ (關(guān))輸入類型:標(biāo)準Gate Charge:198nCTd (on/off) A 25°C:21ns/133nsTest Condition:400V, 40A, 4.7 歐姆, 15V反向恢復(fù)時間 (trr):-封裝:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:*