APT66M60B2參數(shù):MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
類別:分立半導體產品-FET - 單產品目錄繪圖: T-MAXFront標準包裝:30系列:-包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):70A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):100毫歐@33A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V@2.5mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):330nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):13190pF@25V功率-最大值:1135W安裝類型:通孔封裝:TO-247-3變式供應商器件封裝:T-MAX?[B2]