APT10M09B2VFRG
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APT10M09B2VFRG參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：POWER MOS V®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：350nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9875pF @ 25V
功率 - 最大值：625W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3 變式
供應(yīng)商器件封裝：T-MAX? [B2]