APT102GA60B2
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APT102GA60B2參數(shù)：IGBT 600V 183A 780W TO247

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：POWER MOS 8™
包裝：管件
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.5V @ 15V，62A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：183A
Current - Collector Pulsed (Icm)：307A
功率 - 最大值：780W
Switching Energy：1.354mJ (開), 1.614mJ (關(guān))
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：294nC
Td (on/off) A 25°C：28ns/212ns
Test Condition：400V, 62A, 4.7 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-247-3 變式
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*