AO4611參數：MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6.3A，4.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：25 毫歐 @ 6.3A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：58nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2300pF @ 30V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC
