AO4419參數(shù)：MOSFET P-CH -30V -9.7A 8-SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單其它圖紙： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9.7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@9.7A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.7V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：32nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1900pF@15V功率-最大值：3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SOIC
