ALD212900APAL參數(shù)：MOSFET N CH 10.6V 79A 8DIP
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：Zero Threshold™ EPAD®包裝：管件FET 類(lèi)型：2 N 溝道（雙）配對(duì)FET 功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss)：10.6V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：79mA， 85µA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：14 歐姆不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：10mV @ 20µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：30pF @ 5V功率 - 最大值：500mW安裝類(lèi)型：通孔封裝：8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商器件封裝：8-PDIP
