ALD212900ASAL參數(shù)：MOSFET N CH 10.6V 79A 8SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：50系列：Zero Threshold™ EPAD®包裝：管件FET 類型：2 N 溝道（雙）配對FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：10.6V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：79mA， 85µA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：14 歐姆不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：10mV @ 20µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：30pF @ 5V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC
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