ALD1103SBL參數(shù)：COMPLEMENTARY MOSFET 2N-CH/2P-CH
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準包裝：25系列：-包裝：管件FET 類型：2 N 和 2 P 溝道（雙）配對FET 功能：標(biāo)準漏源極電壓 (Vdss)：10.6V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：25mA， 8mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：75 歐姆 @ 5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 10µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10pF @ 5V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：14-SOIC
