2SK4209參數(shù):MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:100系列:-包裝:托盤(pán)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):800V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):12A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.08 歐姆 @ 6A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):75nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1500pF @ 30V功率 - 最大值:2.5W安裝類型:通孔封裝:TO-3P-3,SC-65-3供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB