【供應(yīng)】ZXMN2A02N8TA
- 產(chǎn)品型號：ZXMN2A02N8TA
- 生產(chǎn)廠家： Diodes Inc
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
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500pcs： $0.80370/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
1000pcs： $0.63450/pcs
2500pcs： $0.59220/pcs
5000pcs： $0.56259/pcs
12500pcs： $0.54144/pcs
25000pcs： $0.52452/pcs
50000pcs： $0.50760/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 11A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 10V
功率 - 最大值：1.56W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 11A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 10V
功率 - 最大值：1.56W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
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ZXMN2A02N8TA
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