【供應】STGW35NB60SD
- 產(chǎn)品型號：STGW35NB60SD
- 生產(chǎn)廠家： STMicroelectronics
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-247-3
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美元參考價格
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1pcs： $5.88000/pcs
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10pcs： $5.25000/pcs
25pcs： $4.72520/pcs
詳細信息
其它有關文件：
STGW35NB60SD View All Specifications
標準包裝：30
系列：PowerMESH™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：1.7V @ 15V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：70A
Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
功率 - 最大值：200W
Switching Energy：8.24mJ
輸入類型：標準
Gate Charge：83nC
Td (on/off) A 25°C：92ns/1.1µs
Test Condition：480V, 20A, 100 歐姆, 15V
反向恢復時間 (trr)：44ns
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247-3
標準包裝：30
系列：PowerMESH™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：1.7V @ 15V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：70A
Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
功率 - 最大值：200W
Switching Energy：8.24mJ
輸入類型：標準
Gate Charge：83nC
Td (on/off) A 25°C：92ns/1.1µs
Test Condition：480V, 20A, 100 歐姆, 15V
反向恢復時間 (trr)：44ns
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247-3
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